作者：冯恒振,秦丽,石云波,连树仁,孙亚楠 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2016年第11期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2016110090 DOC编号：DOCBDTQ2016110099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 晶圆键合强度是影响高g MEMS压阻式加速度传感器输出特性的主要因素之一。在200℃，200~800 V条件下完成硅-玻璃阳极键合实验，利用数字拉力机来表征不同参数条件下阳极键合强度，并用Matlab软件对实验数据进行处理，得到键合强度与键合晶圆厚度、键合电压之间的关系曲线；根据键合强度曲线选择最佳阳极键合工艺参数组合，对实验室自研的量程为150 000g的加速度传感器进行硅-玻璃阳极键合和冲击测试。通过分析测试结果，得到使高g压阻式加速度传感器具有较高输出灵敏度的键合参数。

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