作者：唐飞扬,谷森,陈俊,胡志平,孟庆林,汝长海 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2020年第03期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2020030100 DOC编号：DOCBDTJ2020030109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为解决面向扫描电子显微镜(SEM)的原位原子力显微镜(AFM)工作时SEM的聚焦电子束引起原位AFM自感应压阻式微悬臂梁(PRC)力传感器读数持续漂移的难题，首先建立原位AFM自感应PRC力传感器的p沟道结型场效应晶体管(JFET)读数漂移模型，分析SEM聚焦电子束对自感应PRC产生干扰的原因；然后提出了基于原位AFM自感应PRC力传感器p沟道JFET模型的有源漂移抑制法，即先对自感应PRC的栅极进行导电连接，再通过控制施加在自感应PRC栅极上的补偿电压消除SEM聚焦电子束对自感应PRC的干扰。实验结果表明，当补偿电压从未施加上升至40 V时，原位AFM自感应PRC力传感器读数的漂移率从约13 nm/min下降到1 nm/min左右，同时对自感应PRC及其信号调理电路均无损伤。该方法能有效消除SEM聚焦电子束对原位AFM自感应PRC力传感器的影响。

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