作者:付士萍 单位:中国电子科技集团公司第十三研究所 出版:《微纳电子技术》1997年第02期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTQ702.0050 DOC编号:DOCBDTQ702.0059 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《一种表面可动微结构的释放新工艺》PDF+DOC1998年第07期 沈绍群,鲍敏杭,M.A.Beniteg,J.Esteve 《硅多层微机械结构无掩模腐蚀新技术及在力敏结构制作中的应用》PDF+DOC1998年第03期 李昕欣,杨恒,鲍敏杭,沈绍群 《单片集成MEMS技术》PDF+DOC2005年第03期 江建明,娄利飞,汪家友,杨银堂 《微机械惯性传感器的技术应用及展望》PDF+DOC2015年第03期 马冲 《微电子机械系统的进展与应用前景》PDF+DOC2001年第10期 王长河 《静电键合力引起硅微结构畸变的研究》PDF+DOC1997年第01期 任建军,陶盛,沈绍群 《微机械在信息仪器中的应用》PDF+DOC1996年第04期 高晓萍 《硅微机械谐振压力传感器技术发展》PDF+DOC2013年第20期 苑伟政,任森,邓进军,乔大勇 《一种多晶硅高温压力传感器》PDF+DOC1998年第06期 张荣,曲宏伟,王涌萍,阎富兰,崔金标,田莉萍,张维新 《微电子机械系统》PDF+DOC1995年第10期 王跃林,苏以撒,王文
  • 在自由式微结构如束、振动膜和过载传感器的制造过程中,经常遇到的一个难题是分离开粘连在衬底上的微结构。这种现象出现在牺牲腐蚀工艺完成后晶片干燥期间。另外,牺牲层的腐蚀通常是器件制作的最后一步,故这类芯片中的CMOS电路必须采取保护措施。建议在第一道加工工序中,即紧随结构层的淀积,就进行牺牲层的腐蚀,那么最后一道工序就是已分离的结构层的干法刻制,这样既不会发生粘连又不需要进行CMOS电路的特殊保护

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