作者:刘振东 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》1994年第06期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ1994060120 DOC编号:DOCCGQJ1994060129 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《单晶硅微压传感器的研制》PDF+DOC1979年第04期 《硅微机械谐振压力传感器技术发展》PDF+DOC2013年第20期 苑伟政,任森,邓进军,乔大勇 《MEMS高温压力传感器研究与进展》PDF+DOC2009年第11期 张冬至,胡国清,陈昌伟 《谐振式MEMS压力传感器的设计与分析》PDF+DOC2019年第12期 许高斌,胡海霖,徐枝蕃,陈兴,马渊明 《创伤弹道学研究用微型高频高压传感器的设计》PDF+DOC1996年第02期 王文襄,刘秀娥,王麦广,欧日青,陈大勇,文小健,王少秋,田金康,贾德贵 《微型压阻式压力传感器的研制》PDF+DOC1997年第01期 朱作云,李跃进,王文襄 《一种可在高温条件下工作的压力传感器》PDF+DOC1987年第03期 秦秋石 ,刘通 《择优生长的多晶硅压阻统计理论》PDF+DOC1989年第09期 赵甘鸣,鲍敏杭 《一种脉冲周期输出的单片容性压力传感器》PDF+DOC1980年第S1期 姚建 《单晶硅压力传感器温度漂移的补偿方法》PDF+DOC2006年第07期 王世清,姜彤,侯占民
  • 提出了一种由SDB (Silicon-to-silicon Direct Bonding)技术制造压力传感器的方法。叙述了这种方法的优点。例如,完全的IC工艺兼容性,高晶位的性能,固有的低温度系数,以及制造上的现实性。

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