作者：朱秀文,侯曾燏,米健 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》1993年第01期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS1993010000 DOC编号：DOCCGJS1993010009 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文介绍的高性能多晶硅压力传感器，以重掺杂的LPCVD多晶硅薄膜作应变敏感电阻，用二氧化硅层隔离单晶硅衬底，使其工作温度高达200℃以上，若用恒流源供应惠斯登电桥，即使在没有外电路补偿情况下，灵敏度系数(TDS)也仅1.32&#215；10~(-6)FS/℃，可实现近乎理想的灵敏度温度补偿。

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