作者：P.J.French,田武 单位：中国计量科学研究院;中国合格评定国家认可中心 出版：《中国检验检测》1993年第06期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFXDJL1993060110 DOC编号：DOCXDJL1993060119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《多晶硅双岛压力传感器应力分布的模拟计算》PDF+DOC1999年第11期 姚素英,曲宏伟,张维新,毛赣如,李永生 《具有500倍保护的单晶硅压力传感器》PDF+DOC1990年第02期 吴原 《提高硅压阻传感器精度的探讨》PDF+DOC1987年第02期 刘存 ,孙立华 《多晶硅压力传感器的研制》PDF+DOC1988年第04期 周斌,黄文俊,何野,魏同立 《多晶硅薄膜压阻器件》PDF+DOC1987年第Z1期 王善慈,卢慧斌,徐秀华,蔡浩一,邓春阳,陶文忠 《剪切应力对压阻传感器灵敏度的影响》PDF+DOC1986年第05期 王言,鲍敏杭,晋琦 《压力传感器新工艺及其动向》PDF+DOC1983年第04期 孙毓 《发动机燃烧室内的压力测试》PDF+DOC2002年第04期 侯美丽,刘小洋,张娟,刘永寿 《探空仪气压传感器温度补偿的新方法》PDF+DOC2010年第03期 卢轶 《牺牲层结构压力传感器技术》PDF+DOC2009年第05期 揣荣岩,郑雁公,刘本伟,王文东,崔林,李新

    • 1.前言由于单晶硅压阻传感器的高灵敏度，已经使其商品化了。但是，这些装置存在的一个问题是在高温下会发生泄漏。因此，它们的使用范围限制在150℃以下。泄漏发生在将电阻与基片相隔离的pn结处。如果将氧化物或氮化物作为绝缘材料，则不会出现泄漏问题。所以，常常使用多晶硅作为压阻材料。但多晶硅具有低灵敏度的缺点，并存在控制特性问题。

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