作者:王善慈,卢慧斌,徐秀华,蔡浩一,邓春阳,陶文忠 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》1987年第Z1期 页数:2页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ1987Z11480 DOC编号:DOCCGQJ1987Z11489 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《半导体高温压力传感器的研究》PDF+DOC1996年第02期 毛赣如,姚素英,曲宏伟,张维新 《多晶硅敏感技术(连载五)》PDF+DOC1994年第05期 王善慈 《多晶硅敏感技术(连载六)》PDF+DOC1994年第06期 王善慈 《多晶硅高温压力传感器》PDF+DOC1990年第05期 刘晓为,张国威,刘振茂,郭青,高家昌,范茂军,段治安,崔光浩 《具有500倍保护的单晶硅压力传感器》PDF+DOC1990年第02期 吴原 《横向压阻型压力传感器及其临床应用》PDF+DOC1986年第04期 鲍敏杭,王言,晋琦,吴宪平,顾菊康 《压力传感器新工艺及其动向》PDF+DOC1983年第04期 孙毓 《单晶硅微压传感器的研制》PDF+DOC1979年第04期 《单晶硅压力传感器温度漂移的补偿方法》PDF+DOC2006年第07期 王世清,姜彤,侯占民 《压阻式压力传感器信号噪声比改进研究》PDF+DOC 唐培
  • 利用半导体压阻效应的压力传感器,由于信息处理技术的进步,正面向高精度、高灵敏、高可靠、低成本发展。其主流是用单晶硅制造的扩散型压力传感器。但最近,使用不同的材料作衬底,通过SiO_2等做绝缘,在其上沉积多晶硅薄膜的SOI结构的压力传感器由于可望制低成本耐高温及抗腐蚀性强的压力传感器

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