作者：王权,丁建宁,薛伟,凌智勇 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2005年第12期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2005120010 DOC编号：DOCYBJS2005120019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 传统的硅扩散压阻式压力传感器用重掺杂4个 P 型硅应变电阻构成惠斯顿电桥的力敏检测模式，采用 PN 结隔离，高温压阻式压力传感器取消了 PN 结隔离，与半导体集成电路平面工艺兼容，符合传感器的发展方向。根据力敏材料的分类，分别介绍了多晶硅中高温压力传感器、SiC 高温压力传感器和单晶硅 SOI(silicon on insulator)高温压力传感器的基本工作原理和国内外的发展现状，重点论述了 BESOI(bonding and etch-back SOI)、SMARTCUT 和 SIMOX(separation by implanted oxygen)技术的 SOI 晶片加工工艺，以及由此晶片微机械加工成的芯片封装的高温微型压力传感器部分特性，对此领域的发展作了展望。

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