《硅片键合制备超稳高温压力传感器》PDF+DOC
作者:孙国梁
单位:东南大学
出版:《电子器件》1990年第02期
页数:2页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDZQJ1990020160
DOC编号:DOCDZQJ1990020169
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,刘通
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一种可在极宽温区(-40℃至250℃)工作,并重复性和再生产性在全程范围好于±;0.1%的高精度压阻式压力传感器研制成功.该芯片的制作基于为硅的微机械加工而开发的硅片键合形成SOI的技术.一可去除的N型硅片中注入P~+电阻图形并以退火处理.采用文献
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