作者:孙国梁 单位:东南大学 出版:《电子器件》1990年第02期 页数:2页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZQJ1990020160 DOC编号:DOCDZQJ1990020169 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《半导体高温压力传感器的研究》PDF+DOC1996年第02期 毛赣如,姚素英,曲宏伟,张维新 《硅压阻式气压高度计的设计与实现》PDF+DOC2014年第20期 高磊,马英辉,王文清,勾烨 《高温压力传感器温度特性的改善》PDF+DOC1997年第05期 姚素英,毛赣如,曲宏伟,张维新,张荣 《扩散硅压力传感器的漂移补偿模型的建立》PDF+DOC1996年第04期 郎文鹏,赵维琴,闻国富,黄环轩 《高精度高压力传感器概况》PDF+DOC1986年第01期 汪洋 《一种可在高温条件下工作的压力传感器》PDF+DOC1987年第03期 秦秋石 ,刘通 《可在高温条件下工作的压力传感器》PDF+DOC1987年第03期 秦秋石,刘通 《耐高温压阻式压力传感器研究与进展》PDF+DOC2005年第12期 王权,丁建宁,薛伟,凌智勇 《绝缘体上硅高温压力传感器研究》PDF+DOC2004年第02期 张为,姚素英,张生才,赵毅强,张维新 《碳化硅高温压力传感器的研究进展与展望》PDF+DOC2011年第01期 庞天照,严子林,唐飞,王晓浩
  • 一种可在极宽温区(-40℃至250℃)工作,并重复性和再生产性在全程范围好于±0.1%的高精度压阻式压力传感器研制成功.该芯片的制作基于为硅的微机械加工而开发的硅片键合形成SOI的技术.一可去除的N型硅片中注入P~+电阻图形并以退火处理.采用文献

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