作者：崔红玲,杨邦朝,杜晓松,滕林,周鸿仁 单位：中国电子学会;中国电子元件行业协会 出版：《电子元件与材料》2004年第12期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZAL2004120100 DOC编号：DOCDZAL2004120109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为了提高锰铜传感器的测压上限，须用薄膜工艺制备无机绝缘三氧化二铝薄膜来作为传感器的绝缘封装层。采用电子束蒸发法，对影响三氧化二铝薄膜的相关工艺如：蒸发原料的纯度、成膜次数进行了研究。最终得出：由99.99%的三氧化二铝原料制备出的薄膜致密性好、缺陷少，其绝缘电阻率和损耗分别可达1012O&#183；cm和103量级；而采用多次间隙蒸发可明显改善薄膜的附着性和致密性。

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