作者：温志渝,温中泉,徐世六,刘玉奎,张正元,陈刚,杨国渝 单位：中国科学院长春光机所;中国仪器仪表学会 出版：《光学精密工程》2004年第06期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGXJM2004060100 DOC编号：DOCGXJM2004060109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 提出了一种带过载保护功能的真空微电子压力传感器。对传感器的压力敏感膜尺寸、阴阳极间距等结构参数进行了分析计算；针对过载保护的问题，在结构上设计了过载保护环，实现了真空微电子压力传感器的过载自保护功能。采用硅的干、湿法结合的腐蚀、氧化锐化和真空键合等工艺技术，成功地研制出传感器实验样品。对传感器实验样品的参数进行了测试分析，其场致发射阴极锥尖阵列密度达24000个/mm2，起始发射电压为0.5～1V，反向电压≥25V，当正向电压为5V时，单尖发射电流为0.2nA，压力灵敏度为0.1μA/KPa。

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