作者：陶新昕,夏善红,苏杰,陈绍凤 单位：中国科学院电子学研究所;国家自然科学基金委员会信息科学部 出版：《电子与信息学报》2001年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZYX2001010110 DOC编号：DOCDZYX2001010119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 该文提出了“阴极-敏感薄膜复合”结构的新型真空微电子压力传感器，并研制出了“阴极-敏感薄膜复合”结构，对硅薄膜在外力作用下产生的形变及其应力分布进行了计算机模拟计算，并讨论了薄膜结构参数对其敏感特性的影响。

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