作者：许映林,廖小平,田涛 单位：中国科学院长春光机所;中国仪器仪表学会 出版：《光学精密工程》2009年第07期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGXJM2009070270 DOC编号：DOCGXJM2009070279 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 提出了一种基于塞贝克效应的终端式MEMS微波功率传感器，该传感器的制作工艺与GaAs单片式微波集成电路(MMIC)工艺兼容。利用热电偶检测温度差，生成与微波功率成比例的直流电压，由GaAs/Au热电偶串联构成热堆。传感器将电功率转化为热，再间接测量热堆生成的直流电压。采用微机械加工技术，去除了器件底部的GaAs衬底，从而减小了热损耗和电磁损耗，提高了灵敏度。测试结果表明，在0～20GHz内，HFSS模拟的S11&lt；-22dB；测试输入功率为-20～20dBm时，频率为0～20GHz；在20GHz时，灵敏度高于0.15mV/mW；在整个频率范围内，回波损耗低于-26dB。

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