作者：卢少勇,韩建强,李青,王疆英,陈志强 单位：东南大学 出版：《电子器件》2008年第05期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZQJ2008050370 DOC编号：DOCDZQJ2008050379 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 各向异性KOH溶液腐蚀硅尖具有简单、易于实现、成本低廉、(100)晶面腐蚀速率均匀等优点。然而在40%KOH溶液中削角速率和(100)晶面的腐蚀速率之比约为1.6～1.9，并且该比值随着KOH浓度的减小而增大。如此高的削角速率会给AFM探针的制作带来技术上的困难。而对腐蚀场发射器件和隧道式传感器的硅尖阵列来说，高的削角速率会减少单位面积内的硅尖数量。本文通过在氢氧化钾(KOH)或者四甲基氢氧化胺(TMAH)溶液中添加适当的添加剂(如异丙醇(IPA)、1，5戊二醇或碘)降低了削角速率，在较小直径的掩膜下腐蚀出高硅尖。实验结果还表明：在TMAH基腐蚀液中每个硅尖的八个快腐蚀面的削角速率几乎相等，硅尖直径偏差较KOH溶液中腐蚀的硅尖直径偏差更小，因此成品率得到了提高。

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