作者：周雄图,张永爱,郭太良 单位：天津理工大学 出版：《光电子·激光》2013年第11期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGDZJ2013110020 DOC编号：DOCGDZJ2013110029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为了提高SiO2微悬臂梁动态检测灵敏度，对T型SiO2微悬臂梁的制备和高阶谐振模态传感器进行了研究。以绝缘体上Si(SOI)为起始材料制备了不同长度T型SiO2微悬臂梁，利用原子力显微镜(AFM)中精密的光学位置敏感检测器及数据处理系统对其频率进行表征，获得了与仿真结果相一致的数据。基于高阶谐振模态的免疫反应结果表明，对于相同的质量变化量，微悬臂梁的弯曲振动模式阶数越高，其频率偏移越大，从而达到较高的灵敏度；实验制备的SiO2微悬臂梁前三阶弯曲振动模式的检测灵敏度分别为1.36、9.78和26.92Hz/pg，利用二阶弯曲振动模式可检测出21.5pg的分子吸附。

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