作者：王立会,郭伟龙,张姗,孟骁然,赵广宏,李文博,尹玉刚,金小锋 单位：中国航天科技集团公司第七O四研究所 出版：《遥测遥控》2017年第05期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYCYK2017050050 DOC编号：DOCYCYK2017050059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • SiO_2薄膜是薄膜压力传感器绝缘层的一种常用材料，其性能直接影响着传感器的抗电能力。利用化学气相沉积系统(CVD)对SiO_2薄膜的制备工艺进行了探索和优化，通过改变射频功率、反应气体流量比，制备出适用于高抗电薄膜压力传感器的SiO_2绝缘层，其抗电能力可达300V/AC。

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