作者：于晓梅,江兴流,J.Thaysen,O.Hansen,A.Boisen 单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版：《Journal of Semiconductors》2001年第09期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTX2001090180 DOC编号：DOCBDTX2001090189 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 从理论和实验上系统地讨论了压阻输出微传感器的噪声 .选用了单晶硅、非晶硅、多晶硅和微晶硅四种材料作为压阻材料 ，设计了 16种不同尺寸的力敏 Wheastone电桥 ，并对器件分别进行了两种不同浓度的掺杂和两种不同条件的退火 ，共获得 2 5 6种压阻输出的微传感器 .测量所有器件的噪声 ，并对噪声谱进行理论分析 ，实验结果表明单晶硅具有最低的 1/ f 噪声和 Hooge因子 (α)的值 ，而非晶硅略好于微晶硅和多晶硅 .几何尺寸大的力敏电阻具有低的 1/ f 噪声 ，但 α值不受器件尺寸的影响 .掺杂浓度增加 10倍时 ，不同器件的 1/ f 噪声降低介于35 %— 5 0 %之间 .相比 95 0℃、10 m in退火条件 ，10 5 0℃、30 m in的高温长时间退火的器件 ，其 1/ f 噪声降低约 6 5 % 。

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