作者:邓永和 单位:中国电子质量管理协会;信产部第五研究所 出版:《电子质量》2003年第08期 页数:2页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZZN2003080210 DOC编号:DOCDZZN2003080219 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《双E型加速度传感器硅芯片的优化设计》PDF+DOC2003年第01期 唐世洪,张克梅,邓永和,谭子尤 《用于汽车的硅压力和加速度传感器》PDF+DOC1994年第01期 张传忠 《硅加速度传感器芯片的优化设计研究》PDF+DOC2003年第05期 邓永和,李玉琮,许迈昌 《双E型硅加速度传感器的研制》PDF+DOC2001年第04期 唐世洪,张克梅 《微电子机械系统和片式系统》PDF+DOC1999年第03期 王祁,王劲松,迟晓珠 《硅微加速度传感器的现状及研究方向》PDF+DOC1995年第05期 费龙,钟先信,温志渝,高扬 《压阻式硅微型加速度传感器的研制》PDF+DOC2003年第11期 席占稳 《压阻式力敏硅传感器的结构剖析》PDF+DOC2001年第07期 汤恒,唐世洪 《簧片式硅压力传感器的研制》PDF+DOC1995年第01期 温明生,唐世洪,刘理天,谢会开 《有限元分析软件在封装结构变形影响中的应用》PDF+DOC2010年第02期 郝永平,卢继奎,杨芳
  • 介绍了最新设计的双E型硅传感器芯片的制作工艺。通过控制不同敏感硅芯片弹性膜的厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器。

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