作者:宋芳,王家畴 单位:中国微米纳米技术学会;东南大学 出版:《传感技术学报》2013年第02期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGJS2013020090 DOC编号:DOCCGJS2013020099 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 为了提高MEMS执行器件对面内运动位移(或力学信号)检测的灵敏度并改善侧壁检测电阻制作工艺与其他工艺及其不同器件结构之间的兼容性问题,提出一种基于离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作检测梁侧壁压阻的方法。在此基础上,详细分析了影响位移检测灵敏度和分辨率的各种因素,并对侧壁压阻的结构尺寸及其工艺参数进行优化。最后,给出了侧壁表面压阻在几种不同类型典型MEMS执行器件中的应用,取得了很好的应用效果。

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