作者:秦树基 单位:中国微米纳米技术学会;东南大学 出版:《传感技术学报》1991年第04期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGJS1991040100 DOC编号:DOCCGJS1991040109 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《WO_3基H_2S气体传感器的研究》PDF+DOC1999年第01期 吴正元,陈涛,丘思畴,吴正华 《用浸渍法制造添加Pt的SnO_(2-x)薄膜气体传感器特性》PDF+DOC1995年第01期 彭士元 《WO_3气敏薄膜的膜厚对气体响应时间的影响》PDF+DOC2007年第06期 尹英哲,胡明,冯有才 《SnO_2∶Zr薄膜对SO_2气体的光学气敏特性研究》PDF+DOC2000年第03期 汤兆胜,赵强,冯仕猛,范正修 《溶胶-凝胶法制备V_2O_5薄膜的气敏特性研究》PDF+DOC2000年第03期 童茂松,戴国瑞,薛辉,何秀丽,吴元大,高鼎三 《微结构气敏传感器制造工艺的研究》PDF+DOC1998年第03期 王利,祁志美,崔大付 《多层氧化物薄膜气体敏感特性的研究》PDF+DOC1997年第02期 戴国瑞,管玉国,焦伯恒,南金,许秀来,韩征,朱勇 《用浸渍法制造的添加Pt的SnO_(2-x)薄膜气体传感器特性》PDF+DOC 彭士元 ,刘德启 ,黄钢 《酞花菁气体传感器》PDF+DOC1992年第02期 秦树基 《用溅射法制备ZnO薄膜丙酮气敏传感器》PDF+DOC2005年第12期 赵卫萍,孙以材,王小捧,宫云梅
  • 以金属酞花菁薄膜检测NO_2等强电子亲和势气体己为人们所注视,然而当NO_2浓度高于0.5×10~(-6)时,其响应时间和恢复时间都将加长,限制了它的应用范围。T.A.Jone和B.Bott曾为克服此缺点而努力,发现有两条途径可以解决之,一是将器件的工作温度从一般的200℃提高到200~300℃,二是采用300℃以上的高温热处理,然后降低到正常的工作温度,都获得了显著的成效。前者由于工作温度太高,使铅酞花菁薄膜的热蒸发过速,

    提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。